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TSM4425CS RLG /Taiwan Semiconductor N沟道 MOSFET TSM4425CS RLG, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
TSM4425CS RLG的规格信息
TSM4425CS RLG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:11 A

最大漏源电压:30 V

最大漏源电阻值:19 m0hms

最大栅阈值电压:3V

最小栅阈值电压:1V

最大栅源电压:±20 V

封装类型:SOP

安装类型:表面贴装

晶体管配置:

引脚数目:8

通道模式:增强

最大功率耗散:2.5 W

长度:4.85mm

最低工作温度:-55 °C

高度:1.37mm

每片芯片元件数目:1

正向跨导:23S

正向二极管电压:1.3V

最高工作温度:+150 °C

典型栅极电荷@Vgs:64 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:3680 pF @ -8 V

典型关断延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:15 ns

宽度:3.9mm

尺寸:4.85 x 3.9 x 1.37mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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